Sähköisestä ihosta tulee todellisesti käytännöllistä vain jos se on huomaamattoman ohutta, mikä voi olla mahdollista tiedemiesten uuden läpimurron avulla. Stanfordin tutkijat ovat kehittäneet uuden tekniikan, jonka avulla voidaan tehdä alle 100 nanometrin pituisia transistoreja. Yliopiston mukaan tämä on monikertaisesti aiempia yrityksiä lyhyempi.

Työryhmä onnistui tehtävässä pääsemällä yli joustavaa teknologiaa pitkään vaivanneesta esteestä, Engadget kertoo. Vaikka kaksiulotteista lähestyvät puolijohteet olisivat ihanteellisia, niiden valmistamiseen vaadittava lämpö sulattaa joustavan muovin.

Uudessa menetelmässä lasipinnoitettu pii peitetään ohuella puolijohdekalvolla, joka on päällystetty kultaelektrodeilla. Menetelmän avulla vain kolmen atomin levyinen kalvo valmistuu yli 800 Celsius-asteen lämpötilassa. Muovisubstraatti olisi hajonnut vain noin 360 Celsius-asteen lämmössä.

Osien viilennyttyä työryhmä voi asentaa kalvon substraattiin. Muutaman lisäaskeleen jälkeen lopullinen noin viiden mikrometrin eli noin hiuksen kymmenesosan levyinen rakenne on valmis. Ratkaisu on myös ideaalinen pienitehoiseen käyttöön, sillä se kestää korkeita sähkövirtoja pienellä jännitteellä.

Teknologia ei ole kuitenkaan vielä lähellä valmista, sillä tutkijoiden pitää jalostaa joustavaa teknologiaa ja lisätä siihen huomaamatonta langatonta teknologiaa. Keksijöiden täytyy myös keksiä miten tällaisia transistoreita voidaan tuottaa kohtuullisella hinnalla. Kaiken onnistuessa teknologia kuitenkin mahdollistaa tehokkaan e-ihon, implanttien ja muiden joustavien laitteiden valmistamisen.