Universaalista ­muistiteknologiasta – joka olisi yhtä nopeaa kuin dram-piirit, mutta sopisi myös massamuistiksi – on uneksittu vuosikymmeniä. Esimerkiksi Micronin ja Intelin vaihemuutokseen perustuvaa 3D XPointia eli Optane-­muistia rummutettiin juuri tällaisena edistys­askeleena, mutta todellisuudessa sen suorituskyky ei ole nykyisessä muodossaan riittävä ram-muistin korvaamiseen.

Vuosikymmenien mittainen on myös yhden periaatteellisella tasolla lupaavimman muistiteknologian, nano-ramin eli nramin, historia. Yksityiskohtia tästä hiilinanoputkien ja puolijohteiden yhteenliittymästä on tipahdellut julkisuuteen 2000-luvun alkuvuosista lähtien. Lupaavan tekniikan kaupalliset sovellukset antavat kuitenkin edelleen odottaa itseään.

Nram-solu koostuu kahdesta ristikkäin sijaitsevasta hiilinanoputkesta, jotka joko koskettavat toisiaan tai ovat hieman erillään toisistaan solun tilasta riip­puen. Kun putket eivät kosketa toisiaan, sähkönjohtavuus on heikko, mikä edustaa 0-bittiä. Toisissaan kiinni olevat putket taas johtavat sähköä hyvin ja edustavat 1-bittiä.

Solun tila on vakaa, koska nanoputkien jäykkyys pitää ne erillään toisistaan 0-tilassa. 1-tilassa puolestaan molekyylien välillä erittäin pienillä etäisyyksillä vaikuttava Van der Waalsin voima pitää putket yhdessä.

Solujen tilaa vaihdetaan johtamalla niihin elektrodien kautta sähkövirta, ja tilojen lukeminen onnistuu tätä selvästi heikomman sähkövirran avulla. Koska tilan vaihtamiseen vaadittava energia on suhteellisen suuri, ulkopuoliset häiriöt kuten säteily tai korkea lämpötila eivät vaikuta muistin sisältöön.

Lue nram-teknologiasta lisää tästä linkistä.