Samsung-pomo Cheol Choi toteaa, että uusien eUFS-muistipiirien "odotetaan olevan tärkeässä roolissa, kun seuraavan älypuhelinsukupolven käyttökokemusta yritetään tuoda entistä lähemmäs kannettavaa tietokonetta".

Teratavun muistipiirit ovat samankokoisia kuin Samsungin tähän asti kookkaimmat, 512 gigatavun piirit, The Verge kirjoittaa. Uusien muistien lukunopeus on jopa 1000 megatavua sekunnissa, mikä on Samsungin mukaan noin kymmenkertainen lukema tavanomaiseen microSD-muistikorttiin.

Samsung markkinoi jo viime vuonna Galaxy Note 9 -puhelimensa kykenevän sullomaan sisäänsä teratavun verran tallennustilaa. Tähän tosin tarvittiin 512 gigatavun tallennustilan täydentämistä 512 gigatavun microSD-kortilla.

The Vergen mukaan on todennäköistä, että uudet eUFS-muistit löytyvät aivan pian julkaistavista Samsung-uutuuksista. Galaxy S10 -malliston on nimittäin huhuiltu sisältävän huippuluurin, jossa on 12 gigatavua ram-muistia ja teratavun verran tallennustilaa.

Lähde: Tivi